三星3nm工艺芯片最早2021年量产

PingWest品玩1月12日讯,根据Tom’s Hardware报道,三星计划最早在2021年开始量产3nm工艺芯片。同时,三星计划将在今年下半年开始生产7nm EUV芯片。

在去年,三星还表示将在2020年用上4nm GAAFET(Gate-all-around FET,或称“环绕式结构FET”)工艺。当时一些业内人士预测,该工艺最早会在2022年实现量产,但目前看来三星会比预测更快的实现量产。

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